MT29F32G08CBABA NAND Memoria Flash Circuito integrado

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Quantità Prezzo Unitario
12 - 49 5,84
50 - 99 5,19
100 + 4,54

Product Description

MT29F32G08CBABA NAND Flash Memory Circuito integrado

Características
Interfaz abierta NAND Flash (ONFI) 2.1 compatible
1
Tecnología a celdas en capas (MLC)
Organización

Tamaño de página x8: 4320 bytes (4096 + 224 bytes)

Tamaño de bloque: 256 páginas (1024K + 56K byte)

Tamaño del plano: 2 pisos x 2048 bloques por piso

Tamaño del dispositivo: 32 Gb: 4096 bloques; 64 GB: 8192 bloques; 128 GB: 16.384 bloques; 256 Gb: 32,768 bloques
Rendimiento de E / S síncrono

Hasta sincronización síncrona 4

Frecuencia de reloj: 12ns (DDR)

Rendimiento de E / S asíncrona

Hasta sincronización asíncrona 4

t
RC /
t
WC: 25ns (MIN)
Rendimiento de la matriz

Leer página: 50 s (MAX)
– < br /> Página del programa: 900 s (TYP)

Borrar bloque: 3 ms (TYP)
Rango de voltaje de funcionamiento

V
DC
: 2.7-3.6 V

V
CCQ
: 1.7-1.95 V, 2.7-3.6 V
Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash
Conjunto de comandos avanzado

Caché del programa

Leer el caché secuencial

Leer el caché aleatoriamente


Controles multiplano

Operaciones multi-LUN

Leer ID única

Copia de seguridad
El primer bloque co (dirección de bloque 00h) válido cuando se envía desde la fábrica. Para obtener el ECC mínimo requerido, consulte Manejo de errores (página 108).
RESET (FFh) requerido como primer comando después del encendido
El byte de estado operativo proporciona el método de software para la detección

Finalización de la operación

Condición de aprobación / falla

Estado de protección contra escritura
Las señales de estroboscopio de datos (DQS) proporcionan un método de hardware para sincronizar datos DQ en la interfaz síncrona
Operaciones de copia de respaldo admitidas dentro del plan del que se leen los datos

Retención de datos: 10 años

Resistencia: 5000 PROGRAMA / BORRAR ciclos
Temperatura de funcionamiento:

Comercial: de 0 C a + 70 C

Industrial (IT): de a + /> Paquete

LGA 52 pad

TSOP 48 pines

BGA de 100 bolas

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