MT29F32G08CBABA Memoria Flash NAND Circuito integrato

Product Description

MT29F32G08CBABA Memoria Flash NAND Circuito integrato

Caratteristiche
Apri NAND Flash Interface (ONFI) 2.1-compatibile
1
Tecnologia a celle a livelli (MLC)
Organizzazione
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Dimensione pagina x8: 4320 byte (4096 + 224 byte)
–
Dimensione del blocco: 256 pagine (1024K + 56K byte)
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Dimensione piana: 2 piani x 2048 blocchi per piano
–
Dimensione del dispositivo: 32 Gb: 4096 blocchi; 64 Gb: 8192 blocchi; 128 Gb: 16,384 blocchi; 256 Gb: 32,768 blocchi
Prestazioni I / O sincrone
–
Fino alla di sincronizzazione sincrona 4
–
Frequenza di clock: 12ns (DDR)
–
Prestazioni I / O asincrone
–
Fino alla di sincronizzazione asincrona 4
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t
RC /
t
WC: 25ns (MIN)
Prestazioni dell’array
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Leggi pagina: 50 s (MAX)
–
Pagina del programma: 900 s (TYP)
–
Cancella blocco: 3 ms (TYP)
Gamma di tensione operativa
–
V
CC
: 2,7-3,6 V
–
V
CCQ
: 1.7-1.95 V, 2.7-3.6 V
Set di comandi: ONFI NAND Flash Protocol
Set di comandi avanzati
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Programma cache
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Leggi la cache sequenziale
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Leggi la cache casualmente
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Comandi multi-piano
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Operazioni multi-LUN
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Leggi ID univoco
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Copyback
Il primo blocco (indirizzo di blocco 00h) valido quando spedito dalla fabbrica. Per l’ECC minimo richiesto, consultare Gestione degli errori (pagina 108).
RESET (FFh) richiesto come primo comando dopo l’accensione
Il byte dello stato operativo fornisce il metodo software per il rilevamento
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Completamento dell’operazione
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Pass / fail condizione
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Stato di protezione da scrittura
I segnali Data strobe (DQS) forniscono un metodo hardware per la sincronizzazione dei dati DQ nell’interfaccia sincrona
Operazioni di copyback supportate all’interno del piano da cui vengono letti i dati
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Conservazione dei dati: 10 anni
–
Resistenza: 5000 cicli PROGRAM / ERASE
Temperatura di esercizio:
–
Commerciale: da 0 C a + 70 C
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Industriale (IT): da a +/>Pacchetto
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LGA 52 pad
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TSOP a 48 pin
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BGA a 100 sfere